MXR Distortion + 개조

유즈넷에서 퍼온 것을 요약, 정리한 것입니다.
문장의 질에 대해선 전혀 신경쓰지 않았으므로, 참고하세요.

MXR Distortion+ (이하 MXR D+)경우 시기마다 부품의 변화가 있었던 것으로 보인다.
어떤 유저의 D+의 경우,
1978 Block logo with script
Volume pot = 90+k/Distortion pot = 561k

1980 Block logo with block
Volume pot = 40k/Distortion pot = 1.2meg

인터넷에서 구할 수 있는 일반적인 회로의 경우
10k pot for Volume/1meg pot for Distortion로 표기 되어있다.

'original script' model 500k pot가 디스토션 포트에 사용되었다는 얘기도 있다.
(아마도, BUD 케이스 버전일 듯...)

볼륨 포트의 값이 적어질 수록, 소리의 변화는 없이 output impedance가 감소하게 된다.
10K 정도까지는 줄이는 것은 가능할 것이다.

높은 값(예를 들어 100k 정도)의 포트를 사용하고 긴 케이블을 쓸 경우, 이 조합은 로우 패스 필터와 같은 효과를 내게 된다.
디스토션 포트에 높은 값을 사용할 경우 게인과 디스토션의 최대치를 증가시키게 된다.

더 많은 디스토션을 얻기 위해서, 1M가 포트에 연결되는 4.7K의 저항을 더 낮은 값으로 바꿔도 된다.
3.3K ~ 2.2K 정도사이의 값이 적당할 것이다.
4.7K 저항에 직렬로 연결된 0.047uf의 커패시터의 값을 낮추어도 더 많은 디스토션을 얻을 수 있다.
저항을 감소시켜 더 많은 디스토션을 얻을 경우, 커패시터의 값을 증가시켜야 동일한 베이스 영역을 확보할 수 있다.
저항을 2.2k로 감소시킬 경우, 커패시터는 .1uf 정도가 되어야 한다.

아웃풋 볼륨의 양을 증가시키고 싶다면 다이오드 앞에 쓰인 10K 저항의 값을 1K ~ 100R 정도로 변경을 시키면 된다.
그리고 다이오드를 게르마늄에서 실리콘(1N4148)으로 변경을 하면 된다.
(순수하게 아웃풋 양의 증가 관점입니다. 게르마늄을 실리콘 다이오드로 바꾸는 바보짓이라고 생각됩니다. 실제 이 쓰레드에도 그에 관한 내용이 나옵니다. 근데 저도 스크립트와 리이슈를 써봤지만, 게르마늄 다이오드는 없었던 것 같은데... 궁금하군요.)

MXR D+에 톤콘트롤을 추가하고 싶다면 다음의 프로코 랫의 회로를 참고해라.

랫 회로의 0.0033uf 캐퍼시터 대신, 100k 포트와 0.0047uf 캐퍼시터를 사용하고 1.5k 저항은 남겨 두었다.
버퍼없이 사용하도 아주 괜찮았으며, 다이오드와 볼륨 컨트롤 사이에 위치시켰다.
톤 컨트롤을 사용할 경우, 다이오드에 연결된 0.001uf의 커패시터는 더 이상 필요가 없다.

(참고)
아래는 또 다른 D+의 회로도. 추가로 사용해 볼 수 있는 파트가 좀더 나옵니다.